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誠峰CRF等離子表面處理器電源完整性應注意電容特性

誠峰CRF等離子表面處理器電源完整性應注意電容特性:
       實踐中,要正確使用電容進行電源解耦,必須了解電容的頻率特性。實際上并沒有理想的電容,這就是為什么人們常常聽到“電容不僅僅是電容”。實用型電容器總有一些寄生參數(shù),它們在低頻時表現(xiàn)得不明顯,但在高頻時,它們的重要性可能超過了容值本身。由磁場能量變化的視點可以很容易理解,當電流發(fā)生變化時,磁場能量也會發(fā)生變化,但能量躍升是不可能的,體現(xiàn)了電感的特性。在一定程度上可以延緩電容電流的變化,增大電感可以提高電容充放電阻抗,從而延長電源整體反應時間。

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       自振頻點是區(qū)分諧振與電容的兼容性還是感性的分界點,頻率高于諧振頻率時,“電容就不再是電容”,退耦效果也隨之減小。一般小型封裝的等效串電感比寬封裝具有更高的等效串電感,而寬體封裝的等效串電感比窄體封裝更高,這與其等效串電感有關。將一些大的電容放在電路板上,一般是坦電容或電解電容。這類電容的ESL較低,但是ESR很高,所以Q值很低,使用頻率范圍很廣,非常適合板級電源濾波。質量因數(shù)越高,電路在電感或電容上的電壓就越高,附加電壓就越多。在一定頻偏下,Q值越高,電流衰減越快,諧振曲線越尖銳。換句話說,等離子表面處理器電路的挑選性是由電路的Q元素決定的,電源完整性Q值越高,挑選性越好。
       誠峰CRF等離子表面處理器電源完整性部分的解耦規(guī)劃方法為了保證邏輯電路正常工作,有必要表示電路邏輯狀態(tài)的電平值以一定的比例下降。例如,對于3.3V邏輯,高電壓大于2V是邏輯1,低電壓小于0.8V是邏輯0。將電容置于鄰近器件上,并跨接于電源插頭與地插頭之間。一般情況下,電容充電,儲存部分電量。等離子表面處理器電源功率整流器不需要VCC來供給電路轉換所需的瞬態(tài)電流,電容相當于一小塊電源。因此,電源和地端的寄生電感都被繞道掉了,在這一段時間內(nèi),寄生電感沒有電流流過,因此也不存在感應電壓。通常將兩個或多個電容平行放置,以減小電容本身的串聯(lián)電感,從而降低電容充放電回路的阻抗。注意:電容的放置,設備間隔,設備方式,電容選擇。

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