為什么crf電漿清洗機處理須要真空環(huán)境下，其原理是什么？
       crf電漿清洗機須要引進真空環(huán)境的原因很多，但實質上，具體有好幾個因素:引進真空室的氣體在壓力環(huán)境中不會電離，在充入氣體電離產(chǎn)生plasma之前必須達到真空環(huán)境。此外，真空環(huán)境允許我們控制真空室中的氣體類型，并控制真空室中氣體類型對等離子體處理過程的可重復性至關重要。

        要進行crf電漿清洗機處理產(chǎn)品，首先我們要產(chǎn)生plasma。首先，將單一氣體或混合氣體引進密封的低壓真空plasma室。然后兩個電極板之間產(chǎn)生的射頻(RF)激活，這些氣體中激活的離子加速，開始振動。這種振動。“用力擦洗”材料表面的污染物須要清洗。在處理過程中，plasma中激活的分子和原子會發(fā)出紫外線，從而引發(fā)plasma的光。溫度控制系統(tǒng)通常用于控制蝕刻率。對溫度敏感的部件或部件的plasma蝕刻溫度可控制在15攝氏度。我們所有的溫度控制系統(tǒng)都已預先編程并集成到plasma系統(tǒng)的軟件中間。設置一個保存每個等離子體處理的程序，以便輕松地復制處理過程。
       不同的氣體可以引進plasma室來改變處理過程。常用的crf電漿清洗機包括02、N2、Ar、H2和CF4。世界各地的大多數(shù)實驗室基本上都使用這五種氣體單獨或混合進行crf電漿清洗機處理。